发明 DRAM 的电气和估量机工程前驱丹纳德（Robert Heath Dennard） 于 2024 年 4 月 23 日物化。这项发明匡助使数十亿部智高手机、估量机和其他耗尽电子产物成为可能酷咪体育。他还将因基于摩尔定律的 丹纳德缩放表面而被东谈主们牢记。

丹纳德于 1932 年 9 月 5 日出身于德克萨斯州特雷尔。他在一个莫得电的农场长大，在一个唯有一间教室的校舍里上学。他看成圆号演奏家的资质为他赢得了南卫理公会大学（SMU）的奖学金，在那边他学习了新兴的电气工程限度。从SMU毕业后，丹纳德不竭深造，在卡内基理工学院（现称为卡内基梅隆大学）攻读电气工程博士学位。他于 1958 年取得博士学位，并运行担任 IBM 商讨员。他将在那边渡过他漫长而传说的干事生存。

该公司于2020年财政年度、2021年财政年度及2022年财政年度的经调整纯利(非香港财务报告准则计量)分别为人民币5390万元、人民币6740万元及人民币7060万元。于2020年财政年度、2021年财政年度及2022年财政年度，该公司的经调整纯利率(非香港财务报告准则计量)分别为13%、16.2%及11.4%。

其时的集成电路是一个新兴的而且令东谈主怡悦的本领，刚刚由德州仪器的工程师杰克·基尔比发明。该商讨限度和工业界的主要珍视点是推动估量机存储器和逻辑，促使丹纳德长远商讨金属氧化物半导体场效应晶体管 （MOSFET） 的缱绻和欺诈。

由于对其时现存的磁芯RAM的尺寸和功率条目感到颓靡，丹纳德和微电苍生众团队于1964年开导了一种替代系统，该系统只需要六个MOS晶体管即可存储一位信息。他们认为，即使是这么的缱绻也太复杂仁爱慢了。随后，丹纳德的脑海中灵光乍现，这将绝对篡改估量本领。他运行商讨如安在一个晶体管而不是六个晶体管中存储信息。这种知悉力、拜谒和践诺最终导致了动态当场存取存储器 (DRAM) 的发明。

丹纳德并莫得留步于DRAM。1972 年，丹纳德提议了一个表面，该表面匡助估量机和其他电子成立每年变得更小、更快、更高效。这个表面被称为丹纳德缩放比例，或丹纳德定律，源于摩尔定律。

尔定律指出，卤莽装置在给定空间中的晶体管数目大要每两年翻一番。左证 丹纳德定律，每瓦的性能以大致疏浚的速率加多。因此，跟着晶体管尺寸的收缩，它们需要的功率也更少。

在他半个世纪的干事生存中，丹纳德取得了好多奖项和招供。他于 1979 年被告示为 IBM 商讨员，并于 1988 年取得罗纳德·里根总统颁发的好意思国国度本领奖章。1997 年，丹纳德入选好意思国国度发明家名东谈主堂，并于 2009 年被授予 IEEE 荣誉勋章。

这位发明家最近被授予半导体行业的最高荣誉。2019 年，半导体行业协会授予 Dennard Robert N. Noyce 奖。